Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  2 N-Channel (Half Bridge)
• хусусияти fet
  Silicon Carbide (SiC)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  468A (Tc)
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  4.25mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (максимум) @ id
  3.6V @ 106mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  1040nC @ 15V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  29700pF @ 800V
• қувват - макс
  -
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Chassis Mount
• баста / парванда
  Module
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Module