-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
CAS325M12HM2
Истеҳсолкунанда
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо
Тавсифи
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсилаZ-REC™
-
бастаBulk
-
ҳолати қисмObsolete
-
навъи фут2 N-Channel (Half Bridge)
-
хусусияти fetSilicon Carbide (SiC)
-
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)1200V (1.2kV)
-
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c444A (Tc)
-
rds оид ба (максимум) @ id, vgs4.3mOhm @ 400A, 20V
-
vgs(th) (максимум) @ id4V @ 105mA
-
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs1127nC @ 20V
-
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds-
-
қувват - макс3000W
-
ҳарорати корӣ175°C (TJ)
-
навъи насб-
-
баста / парвандаModule
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаModule
