Мушаххасоти

• силсила
  Z-FET™
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  2 N-Channel (Half Bridge)
• хусусияти fet
  Silicon Carbide (SiC)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  423A (Tc)
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  1025nC @ 20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  11700pF @ 600V
• қувват - макс
  1660W
• ҳарорати корӣ
  150°C (TJ)
• навъи насб
  Chassis Mount
• баста / парванда
  Module, Screw Terminals
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Module