Мушаххасоти

• силсила
  C2M™
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Not For New Designs
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1700 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  72A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  20V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 18mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (максимум)
  +25V, -10V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  520W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-247-4
• баста / парванда
  TO-247-4