-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
SQJ844AEP-T1_GE3
Истеҳсолкунанда
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо
Тавсифи
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсилаAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
-
бастаTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
ҳолати қисмActive
-
навъи фут2 N-Channel (Dual)
-
хусусияти fetStandard
-
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)30V
-
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c8A
-
rds оид ба (максимум) @ id, vgs16.6mOhm @ 7.6A, 10V
-
vgs(th) (максимум) @ id2.5V @ 250µA
-
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs26nC @ 10V
-
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds1161pF @ 15V
-
қувват - макс48W
-
ҳарорати корӣ-55°C ~ 175°C (TJ)
-
навъи насбSurface Mount
-
баста / парвандаPowerPAK® SO-8 Dual
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаPowerPAK® SO-8 Dual
