-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
SISF00DN-T1-GE3
Истеҳсолкунанда
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо
Тавсифи
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсилаTrenchFET® Gen IV
-
бастаTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
ҳолати қисмActive
-
навъи фут2 N-Channel (Dual) Common Drain
-
хусусияти fetStandard
-
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)30V
-
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c60A (Tc)
-
rds оид ба (максимум) @ id, vgs5mOhm @ 10A, 10V
-
vgs(th) (максимум) @ id2.1V @ 250µA
-
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs53nC @ 10V
-
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds2700pF @ 15V
-
қувват - макс69.4W (Tc)
-
ҳарорати корӣ-55°C ~ 150°C (TJ)
-
навъи насбSurface Mount
-
баста / парвандаPowerPAK® 1212-8SCD
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаPowerPAK® 1212-8SCD
