SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Истеҳсолкунанда

Vishay / Siliconix

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    600 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    29A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    125mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    130 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    2600 pF @ 100 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    250W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-247AC
  • баста / парванда
    TO-247-3

SIHG30N60E-GE3 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 8329
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
6.70000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:6.70000