TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Истеҳсолкунанда

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    U-MOSVIII-H
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    60 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    60A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    6.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 1mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    72 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    6100 pF @ 30 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    1.6W (Ta), 78W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SOP Advance (5x5)
  • баста / парванда
    8-PowerVDFN

TPH2R306NH,L1Q Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 12652
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.69000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.69000