-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
SSM6L16FETE85LF
Истеҳсолкунанда
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо
Тавсифи
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсила-
-
бастаTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
ҳолати қисмNot For New Designs
-
навъи футN and P-Channel
-
хусусияти fetStandard
-
рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)20V
-
ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c100mA
-
rds оид ба (максимум) @ id, vgs3Ohm @ 10mA, 4V
-
vgs(th) (максимум) @ id1.1V @ 0.1mA
-
пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs-
-
Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds9.3pF @ 3V
-
қувват - макс150mW
-
ҳарорати корӣ150°C (TA)
-
навъи насбSurface Mount
-
баста / парвандаSOT-563, SOT-666
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаES6 (1.6x1.6)
