RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

Истеҳсолкунанда

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - дуқутбӣ (bjt) - яккаса, қаблан ғаразнок

Тавсифи

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи транзистор
    NPN - Pre-Biased
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100 mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50 V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    47 kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    -
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 5V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    100nA (ICBO)
  • басомад - гузариш
    250 MHz
  • қувват - макс
    200 mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    S-Mini

RN1413(TE85L,F) Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 33118
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.31000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.31000

Рӯйхат

Зеркашӣ кунед