MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Истеҳсолкунанда

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - биполярӣ (bjt) - rf

Тавсифи

RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи транзистор
    NPN
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    5.3V
  • басомад - гузариш
    7.7GHz
  • рақами садо (db typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • фоида
    10.5dB
  • қувват - макс
    1.6W
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100mA
  • ҳарорати корӣ
    150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    TO-243AA
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PW-MINI

MT3S113P(TE12L,F) Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 21091
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.99000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.99000