-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
HN1A01FE-GR,LF
Истеҳсолкунанда
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - биполярӣ (bjt) - массивҳо
Тавсифи
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсила-
-
бастаTape & Reel (TR)
-
ҳолати қисмActive
-
навъи транзистор2 PNP (Dual)
-
ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)150mA
-
шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)50V
-
vce сершавии (макс) @ ib, ic300mV @ 10mA, 100mA
-
ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)100nA (ICBO)
-
фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce200 @ 2mA, 6V
-
қувват - макс100mW
-
басомад - гузариш80MHz
-
ҳарорати корӣ150°C (TJ)
-
навъи насбSurface Mount
-
баста / парвандаSOT-563, SOT-666
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаES6
