CSD16322Q5

CSD16322Q5

Истеҳсолкунанда

Texas Instruments

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    NexFET™
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    25 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    21A (Ta), 97A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    3V, 8V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    5mOhm @ 20A, 8V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1.4V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    9.7 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    +10V, -8V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1365 pF @ 12.5 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    3.1W (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-VSON-CLIP (5x6)
  • баста / парванда
    8-PowerTDFN

CSD16322Q5 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 16685
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.27000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.27000