RGTV00TK65DGC11

RGTV00TK65DGC11

Истеҳсолкунанда

ROHM Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    650 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    45 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    200 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • қувват - макс
    94 W
  • иваз кардани энергия
    1.17mJ (on), 940µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    104 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    41ns/142ns
  • ҳолати санҷиш
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    102 ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-3PFM, SC-93-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-3PFM

RGTV00TK65DGC11 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 8670
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
6.48000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:6.48000