RGS80TSX2GC11

RGS80TSX2GC11

Истеҳсолкунанда

ROHM Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    Trench Field Stop
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    1200 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    80 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    120 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • қувват - макс
    555 W
  • иваз кардани энергия
    3mJ (on), 3.1mJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    104 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    49ns/199ns
  • ҳолати санҷиш
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-247-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-247N

RGS80TSX2GC11 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 6608
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
8.88000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:8.88000