Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tray
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  2 N-Channel (Half Bridge)
• хусусияти fet
  Silicon Carbide (SiC)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  300A (Tc)
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 68mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  -
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  35000pF @ 10V
• қувват - макс
  1875W
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Chassis Mount
• баста / парванда
  Module
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Module