Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Half-Bridge
• навъи канал
  Independent
• шумораи ронандагон
  2
• навъи дарвоза
  N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  8V ~ 17V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  2.4V, 5.8V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  4A, 4A
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  120 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  7.2ns, 5.5ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 140°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SOIC