Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  40 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  10A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  1.8V, 4.5V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  112mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  -
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  8 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±10V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  650 pF @ 20 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  1W (Ta), 15W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  150°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  IPAK/TP
• баста / парванда
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA