Мушаххасоти

• силсила
  TrenchMOS™
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Not For New Designs
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  20 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  6.3A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  1.8V, 4.5V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  28mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  700mV @ 1mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  10.6 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  740 pF @ 10 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  1.75W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  6-TSOP
• баста / парванда
  SC-74, SOT-457