NCP5109BMNTWG

NCP5109BMNTWG

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

пмик-ронандагони дарвоза

Тавсифи

MOSFET / IGBT DRIVERS, DUAL INPU

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • конфигуратсияи рондашуда
    Half-Bridge
  • навъи канал
    Independent
  • шумораи ронандагон
    2
  • навъи дарвоза
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • таъминоти шиддат
    10V ~ 20V
  • шиддати мантиқӣ - vil, vih
    0.8V, 2.3V
  • ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
    250mA, 500mA
  • навъи вуруд
    Non-Inverting
  • шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
    200 V
  • вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
    85ns, 35ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    10-VFDFN Exposed Pad
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    10-DFN (3x3)

NCP5109BMNTWG Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 21671
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.48000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.48000