Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  55 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  51A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  3V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±16V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  80W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  PG-TO263-3-2
• баста / парванда
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB