Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  150 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  41A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  5.5V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±30V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  200W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-220AB
• баста / парванда
  TO-220-3