Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  150 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  5.5A
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (максимум) @ id
  -
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  -
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  -
• хусусияти fet
  Standard
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  75W
• ҳарорати корӣ
  -
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-204AE
• баста / парванда
  TO-204AE