Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Obsolete
• навъи фут
  2 N-Channel (Dual)
• хусусияти fet
  Logic Level Gate
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  20V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  8.9A
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  18.3mOhm @ 8.9A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.5V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  7.4nC @ 4.5V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  540pF @ 10V
• қувват - макс
  2W
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SO