Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N and P-Channel
• хусусияти fet
  Logic Level Gate
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  20V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  5.2A, 4.3A
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (максимум) @ id
  700mV @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  660pF @ 15V
• қувват - макс
  2W
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SO