Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Half-Bridge
• навъи канал
  Independent
• шумораи ронандагон
  2
• навъи дарвоза
  IGBT, N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  10V ~ 20V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  0.8V, 2.9V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  200mA, 350mA
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  600 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  150ns, 50ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SOIC