IR25603SPBF-IR

IR25603SPBF-IR

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

пмик-ронандагони дарвоза

Тавсифи

HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Active
  • конфигуратсияи рондашуда
    Half-Bridge
  • навъи канал
    Synchronous
  • шумораи ронандагон
    2
  • навъи дарвоза
    N-Channel MOSFET
  • таъминоти шиддат
    10V ~ 15.6V
  • шиддати мантиқӣ - vil, vih
    -
  • ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
    180mA, 260mA
  • навъи вуруд
    RC Input Circuit
  • шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
    600 V
  • вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
    80ns, 45ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SOIC

IR25603SPBF-IR Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 29463
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.70000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.70000