IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    OptiMOS™
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    100 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    20A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    50mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 20µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1.09 pF @ 50 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    44W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TO263-3-2
  • баста / парванда
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50CN10NGATMA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 39353
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.52000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.52000