FQPF18N20V2

FQPF18N20V2

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    QFET®
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    200 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    18A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    140mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    5V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    26 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1.08 pF @ 25 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    40W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-220F
  • баста / парванда
    TO-220-3 Full Pack

FQPF18N20V2 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 19512
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.08000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.08000