Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Bulk
• ҳолати қисм
  Active
• навъи транзистор
  PNP - Pre-Biased
• ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
  100 mA
• шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
  50 V
• резистор - пойгоҳ (r1)
  4.7 kOhms
• резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
  4.7 kOhms
• фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
  20 @ 10mA, 5V
• vce сершавии (макс) @ ib, ic
  300mV @ 500µA, 10mA
• ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
  100nA (ICBO)
• басомад - гузариш
  200 MHz
• қувват - макс
  300 mW
• навъи насб
  Through Hole
• баста / парванда
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-92-3