FDD6780

FDD6780

Истеҳсолкунанда

Rochester Electronics

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    PowerTrench®
  • баста
    Bulk
  • ҳолати қисм
    Obsolete
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    25 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    16.5A (Ta), 30A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    4.5V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    8.5mOhm @ 16.5A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    3V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    29 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1.59 pF @ 13 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    D-PAK (TO-252)
  • баста / парванда
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD6780 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 40940
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.25000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.25000