NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG

Истеҳсолкунанда

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Automotive, AEC-Q101
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    80 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    11A (Ta), 68A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4V @ 70µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    19 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1140 pF @ 40 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    3.2W (Ta), 107W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • баста / парванда
    8-PowerWDFN

NVTFS6H850NTAG Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 20515
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
1.02000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:1.02000