Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tape & Reel (TR)
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  80 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  6.6A (Ta), 22A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  4.5V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  29mOhm @ 5A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2V @ 20µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  9 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  431 pF @ 40 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  3.1W (Ta), 33W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-WDFN (3.3x3.3)
• баста / парванда
  8-PowerWDFN