NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G

Истеҳсолкунанда

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    20 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    3A (Ta)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    1.8V, 4.5V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    38mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    17.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    ±8V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1651 pF @ 15 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    480mW (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    SOT-23-3 (TO-236)
  • баста / парванда
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTR3A30PZT1G Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 33077
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.62000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.62000