NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Истеҳсолкунанда

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    30 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    2.5A (Tj)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    1.5V, 4.5V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    70mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1V @ 250µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    6.5 nC @ 4.5 V
  • vgs (максимум)
    ±8V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    427 pF @ 15 V
  • хусусияти fet
    Schottky Diode (Isolated)
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    710mW (Ta)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    6-WDFN (2x2)
  • баста / парванда
    6-WDFN Exposed Pad

NTLJF4156NT1G Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 38594
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.53000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.53000