PDTA114EMB,315

PDTA114EMB,315

Истеҳсолкунанда

Nexperia

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - дуқутбӣ (bjt) - яккаса, қаблан ғаразнок

Тавсифи

TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tape & Reel (TR)
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи транзистор
    PNP - Pre-Biased
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100 mA
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    50 V
  • резистор - пойгоҳ (r1)
    10 kOhms
  • резистор - пойгоҳи эмитент (r2)
    10 kOhms
  • фоидаи ҷорӣ DC (hfe) (дақ) @ ic, vce
    30 @ 5mA, 5V
  • vce сершавии (макс) @ ib, ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)
    1µA
  • басомад - гузариш
    180 MHz
  • қувват - макс
    250 mW
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    3-XFDFN
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    DFN1006B-3

PDTA114EMB,315 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 332057
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.03020
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.03020