Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• хусусияти fet
  Silicon Carbide (SiC)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  171A (Tc)
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.8V @ 2mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  464nC @ 20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  6040pF @ 1000V
• қувват - макс
  728W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Chassis Mount
• баста / парванда
  Module
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  SP6-P