Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  700 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  25A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (максимум) @ id
  -
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  -
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  -
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  -
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  D3Pak
• баста / парванда
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA