-
-
Нархи паст тавассути Factory-Direct
Барои буридани миёнарав бевосита бо заводи электроника кор кунед. Асли нав бо нархи паст ва тахфиф
-
Эътимоднокии бехатар ва сифат
Системаи суғуртаи сифат барои сифати аълои маҳсулот. Дар сари вақт, ҳар вақт таъмин намудани ҷузъҳои сифат.
-
Зиёда аз 15 миллион захираҳо
100+ Истеҳсолкунандаи машҳури ҷаҳонӣ, зиёда аз 15 миллион инвентаризатсия. Саҳмияҳо дастрасанд, ки барои хариди мустақим бо нархи тахфиф дастгирӣ мекунанд.
-
Хизматрасонии дӯстона ба мизоҷон
Як ҳалли ягона, ки ба талаботи беназири шумо фардӣ карда шудааст. Дастгирӣ дар вебсайти 12 забон, роҳати бештар ва хидматҳои зуд.
APTGT50A120T1G
Истеҳсолкунанда
Roving Networks / Microchip Technology
Категорияи маҳсулот
транзисторҳо - igbts - модулҳо
Тавсифи
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед
Мушаххасоти
-
силсила-
-
бастаBulk
-
ҳолати қисмActive
-
навъи igbtTrench Field Stop
-
конфигуратсияHalf Bridge
-
шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)1200 V
-
ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)75 A
-
қувват - макс277 W
-
vce(дар) (макс) @ vge, ic2.1V @ 15V, 50A
-
ҷорӣ - қатъи коллектор (максимум)250 µA
-
иқтидори вуруди (cies) @ vce3.6 nF @ 25 V
-
вурудStandard
-
термистори ntcYes
-
ҳарорати корӣ-40°C ~ 150°C (TJ)
-
навъи насбChassis Mount
-
баста / парвандаSP1
-
бастаи дастгоҳи таъминкунандаSP1
