Мушаххасоти

• силсила
  *
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  800 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  27A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  -
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  300mOhm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 2.5mA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  510 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  -
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  7900 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  -
• ҳарорати корӣ
  -
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-264 [L]
• баста / парванда
  TO-264-3, TO-264AA