APT45GP120BG

APT45GP120BG

Истеҳсолкунанда

Roving Networks / Microchip Technology

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - igbts - ягона

Тавсифи

IGBT 1200V 100A 625W TO247

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    POWER MOS 7®
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи igbt
    PT
  • шиддат - шикастани эмиттери коллектор (максимум)
    1200 V
  • ҷорӣ - коллектор (ic) (макс)
    100 A
  • ҷорӣ - коллектор импулс (icm)
    170 A
  • vce(дар) (макс) @ vge, ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • қувват - макс
    625 W
  • иваз кардани энергия
    900µJ (on), 904µJ (off)
  • навъи вуруд
    Standard
  • пардохти дарвоза
    185 nC
  • td (фаъол/хомӯш) @ 25°c
    18ns/102ns
  • ҳолати санҷиш
    600V, 45A, 5Ohm, 15V
  • вақти барқарорсозии баръакс (trr)
    -
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • баста / парванда
    TO-247-3
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    TO-247 [B]

APT45GP120BG Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 4258
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
14.81000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:14.81000