Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Low-Side
• навъи канал
  Single
• шумораи ронандагон
  1
• навъи дарвоза
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  4.5V ~ 35V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  0.8V, 3V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  14A, 14A
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  -
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  25ns, 18ns
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  8-SOIC-EP