Мушаххасоти

• силсила
  -
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• конфигуратсияи рондашуда
  Half-Bridge
• навъи канал
  Independent
• шумораи ронандагон
  2
• навъи дарвоза
  N-Channel MOSFET
• таъминоти шиддат
  8V ~ 14V
• шиддати мантиқӣ - vil, vih
  1.4V, 2.2V
• ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
  3A, 4A
• навъи вуруд
  Non-Inverting
• шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
  114 V
• вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
  9ns, 7.5ns
• ҳарорати корӣ
  -40°C ~ 125°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• баста / парванда
  10-WDFN Exposed Pad
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  10-TDFN (4x4)