Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  60 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  1.2A (Ta)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  4.5V, 10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  480mOhm @ 1.2A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  2.5V @ 25µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  0.67 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±16V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  64 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  1.25W (Ta)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• навъи насб
  Surface Mount
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  Micro3™/SOT-23
• баста / парванда
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3