IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

MOSFET N-CH 55V 5.1A

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    HEXFET®
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    2 N-Channel (Dual)
  • хусусияти fet
    Standard
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    55V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    5.1A
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    50mOhm @ 5.1A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    1V @ 250µA (Min)
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    44nC @ 10V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    780pF @ 25V
  • қувват - макс
    2.4W
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SO

IRF7341GTRPBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 15559
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
2.04000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:2.04000