Мушаххасоти

• силсила
  HEXFET®
• баста
  Tube
• ҳолати қисм
  Active
• навъи фут
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
  55 V
• ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
  75A (Tc)
• шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
  10V
• rds оид ба (максимум) @ id, vgs
  6.5mOhm @ 66A, 10V
• vgs(th) (максимум) @ id
  4V @ 250µA
• пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
  3450 pF @ 25 V
• хусусияти fet
  -
• сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
  170W (Tc)
• ҳарорати корӣ
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• навъи насб
  Through Hole
• бастаи дастгоҳи таъминкунанда
  TO-262
• баста / парванда
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA