IR2102SPBF

IR2102SPBF

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

пмик-ронандагони дарвоза

Тавсифи

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    -
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • конфигуратсияи рондашуда
    Half-Bridge
  • навъи канал
    Independent
  • шумораи ронандагон
    2
  • навъи дарвоза
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • таъминоти шиддат
    10V ~ 20V
  • шиддати мантиқӣ - vil, vih
    0.8V, 3V
  • ҷорӣ - баромади қуллаи (манбаъ, танӯр)
    210mA, 360mA
  • навъи вуруд
    Inverting
  • шиддати паҳлӯи баланд - макс (боркунӣ)
    600 V
  • вақти болоравӣ / пастшавӣ (навъ)
    100ns, 50ns
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • баста / парванда
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    8-SOIC

IR2102SPBF Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 8340
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
4.02000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:4.02000