IPW65R110CFDAFKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
  • баста
    Tube
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    650 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    31.2A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    110mOhm @ 12.7A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    4.5V @ 1.3mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    118 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    3240 pF @ 100 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    277.8W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Through Hole
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TO247-3
  • баста / парванда
    TO-247-3

IPW65R110CFDAFKSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 7134
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
7.93000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:7.93000