DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - массивҳо

Тавсифи

MOSFET MODULE 1200V

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    EasyPACK™
  • баста
    Tray
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    2 N-Channel (Dual)
  • хусусияти fet
    Silicon Carbide (SiC)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    25A (Tj)
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    45mOhm @ 25A, 15V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    5.55V @ 10mA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    62nC @ 15V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    1840pF @ 800V
  • қувват - макс
    20mW
  • ҳарорати корӣ
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Chassis Mount
  • баста / парванда
    Module
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    AG-EASY1B-2

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 1522
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
90.60000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:90.60000