BSZ340N08NS3GATMA1

BSZ340N08NS3GATMA1

Истеҳсолкунанда

IR (Infineon Technologies)

Категорияи маҳсулот

транзисторҳо - фетҳо, mosfets - якка

Тавсифи

MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Почтаи электронии RFQ: [email protected] or Онлайн пурсед

Мушаххасоти

  • силсила
    OptiMOS™
  • баста
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ҳолати қисм
    Active
  • навъи фут
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • рехтан ба шиддати манбаъ (vdss)
    80 V
  • ҷорӣ - резиши пайваста (id) @ 25 ° c
    6A (Ta), 23A (Tc)
  • шиддати гардонанда (максимум rds фаъол, min rds фаъол)
    6V, 10V
  • rds оид ба (максимум) @ id, vgs
    34mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (максимум) @ id
    3.5V @ 12µA
  • пардохти дарвоза (qg) (макс) @ vgs
    9.1 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • Capacitance вуруди (ciss) (макс) @ vds
    630 pF @ 40 V
  • хусусияти fet
    -
  • сарфи қувваи барқ ​​(максимум)
    2.1W (Ta), 32W (Tc)
  • ҳарорати корӣ
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • навъи насб
    Surface Mount
  • бастаи дастгоҳи таъминкунанда
    PG-TSDSON-8
  • баста / парванда
    8-PowerTDFN

BSZ340N08NS3GATMA1 Иқтибосро дархост кунед

Дар фурӯш 29116
Миқдор:
Нархи воҳид (Нархи истинод):
0.71000
Нархи мақсаднок:
Ҳамагӣ:0.71000